epc designs, develops, markets, and sells gallium nitride based power management devices using mature silicon foundries.
| 部品番号 | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V, 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.7A, 500mA |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 9-VFBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) |
