ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル GP1M006A065FH

Global Power Technologies Group GP1M006A065FH

部品番号
GP1M006A065FH
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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製品パラメータ
部品番号 GP1M006A065FH
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1177pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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