ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IPP032N06N3GXKSA1

Infineon Technologies IPP032N06N3GXKSA1

部品番号
IPP032N06N3GXKSA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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  • 10 pcs

    0.90550/pcs
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    0.56595/pcs
  • 1,000 pcs

    0.46893/pcs
合計:0.95500/pcs Unit Price:
0.95500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IPP032N06N3GXKSA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 120A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 118µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 165nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 13000pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.2 mOhm @ 100A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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メーカー: Infineon Technologies

説明: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

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RFQ -
IPP032N06N3GXKSA1

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