部品番号 | IRFI1010NPBF |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 55V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 49A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 130nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2900pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 58W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12 mOhm @ 26A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB Full-Pak |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
在庫あり: 778
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP
在庫あり: 395