ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXFP3N120

IXYS IXFP3N120

部品番号
IXFP3N120
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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  • 1 pcs

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  • 10 pcs

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    2.62710/pcs
  • 500 pcs

    2.12729/pcs
  • 1,000 pcs

    1.79410/pcs
合計:3.59000/pcs Unit Price:
3.59000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXFP3N120
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 1.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 39nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1050pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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