ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXT-1-1N100S1

IXYS IXT-1-1N100S1

部品番号
IXT-1-1N100S1
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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6.04394/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXT-1-1N100S1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) -
FET機能 -
消費電力(最大) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
動作温度 -
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC
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メーカー: IXYS

説明: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC

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