ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTA08N100D2

IXYS IXTA08N100D2

部品番号
IXTA08N100D2
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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合計:1.02500/pcs Unit Price:
1.02500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTA08N100D2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 800mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14.6nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 325pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 60W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (IXTA)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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