ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTP08N100P

IXYS IXTP08N100P

部品番号
IXTP08N100P
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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0.86630/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTP08N100P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 800mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 50µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 240pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 20 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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