ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IXTY01N100D

IXYS IXTY01N100D

部品番号
IXTY01N100D
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
IXYS

IXYS

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  • 1 pcs

    1.36500/pcs
  • 10 pcs

    1.23200/pcs
  • 100 pcs

    0.99000/pcs
  • 500 pcs

    0.77000/pcs
  • 1,000 pcs

    0.63800/pcs
合計:1.36500/pcs Unit Price:
1.36500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 IXTY01N100D
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100mA (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) -
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 120pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 110 Ohm @ 50mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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