Microsemi Corporation 1N5621US

部品番号: 1N5621US
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: ダイオード - 整流器 - シングル

Microsemi Corporation

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製品パラメータ

部品番号	1N5621US
部品ステータス	Active
ダイオードタイプ	Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大）	800V
電流 - 平均整流（Io）	1A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If	1.6V @ 3A
速度	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr）	300ns
電流 - 逆リーク（Vr）	500nA @ 800V
容量Vr、F	20pF @ 12V, 1MHz
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	SQ-MELF, A
サプライヤデバイスパッケージ	D-5A
動作温度 - ジャンクション	-65°C ~ 175°C

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