ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - IGBT - モジュール APT200GN60JDQ4G

Microsemi Corporation APT200GN60JDQ4G

部品番号
APT200GN60JDQ4G
メーカー
Microsemi Corporation
説明
IGBT 600V 283A 682W SOT227
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - IGBT - モジュール
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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製品パラメータ
部品番号 APT200GN60JDQ4G
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 283A
電力 - 最大 682W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 1.85V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大) 50µA
入力容量(Cies)@ Vce 14.1nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース ISOTOP
サプライヤデバイスパッケージ ISOTOP®
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