ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF MDS60L

Microsemi Corporation MDS60L

部品番号
MDS60L
メーカー
Microsemi Corporation
説明
TRANS RF BIPO 120W 4A 55AW1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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    120.01840/pcs
  • 50 pcs

    120.01840/pcs
合計:120.01840/pcs Unit Price:
120.01840/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 MDS60L
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 65V
周波数 - 遷移 1.03GHz ~ 1.09GHz
ノイズ・フィギュア(dB Typ @ f) -
利得 10dB
電力 - 最大 120W
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 20 @ 500mA, 5V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 4A
動作温度 200°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース 55AW
サプライヤデバイスパッケージ 55AW
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