ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル IRFR220,118

NXP USA Inc. IRFR220,118

部品番号
IRFR220,118
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 IRFR220,118
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.8A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 280pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 42W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 800 mOhm @ 2.9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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