ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - RF MRF6S20010GNR1

NXP USA Inc. MRF6S20010GNR1

部品番号
MRF6S20010GNR1
メーカー
NXP USA Inc.
説明
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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8.98198/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 MRF6S20010GNR1
部品ステータス Active
トランジスタタイプ LDMOS
周波数 2.17GHz
利得 15.5dB
電圧 - テスト 28V
電流定格 -
ノイズフィギュア -
電流 - テスト 130mA
電力出力 10W
電圧 - 定格 68V
パッケージ/ケース TO-270-2 Gull Wing
サプライヤデバイスパッケージ TO-270-2 GULL
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