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| 部品番号 | 5LN01C-TB-E |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 50V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.5V, 4V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.57nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6.6pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250mW (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 3-CP |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
