ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BVSS123LT1G

ON Semiconductor BVSS123LT1G

部品番号
BVSS123LT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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製品パラメータ
部品番号 BVSS123LT1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 170mA (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.8V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 20pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 225mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 6 Ohm @ 100mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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