ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル MJD112-1G

ON Semiconductor MJD112-1G

部品番号
MJD112-1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.33500/pcs
  • 10 pcs

    0.29200/pcs
  • 100 pcs

    0.21785/pcs
  • 500 pcs

    0.17117/pcs
  • 1,000 pcs

    0.13227/pcs
合計:0.33500/pcs Unit Price:
0.33500/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 MJD112-1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Darlington
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 2A
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 100V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 3V @ 40mA, 4A
電流 - コレクタ遮断(最大) 20µA
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 1000 @ 2A, 3V
電力 - 最大 1.75W
周波数 - 遷移 25MHz
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
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