ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル MTY100N10E

ON Semiconductor MTY100N10E

部品番号
MTY100N10E
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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製品パラメータ
部品番号 MTY100N10E
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 378nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10640pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 11 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-264
パッケージ/ケース TO-264-3, TO-264AA
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MTY100N10E

メーカー: ON Semiconductor

説明: MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

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