ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス MUN2216T1G

ON Semiconductor MUN2216T1G

部品番号
MUN2216T1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル、プリバイアス
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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製品パラメータ
部品番号 MUN2216T1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 50V
抵抗器 - ベース(R1)(オーム) 4.7k
抵抗器 - エミッタベース(R2)(オーム) -
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 338mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SC-59
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