部品番号 | NDD02N60Z-1G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4.5V @ 50µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 10.1nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 274pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 57W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |