ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル NSVBC858CLT1G

ON Semiconductor NSVBC858CLT1G

部品番号
NSVBC858CLT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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 量:
製品パラメータ
部品番号 NSVBC858CLT1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 30V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 650mV @ 5mA, 100mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 15nA (ICBO)
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 420 @ 2mA, 5V
電力 - 最大 300mW
周波数 - 遷移 100MHz
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23
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