ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル NTP8G202NG

ON Semiconductor NTP8G202NG

部品番号
NTP8G202NG
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    11.55000/pcs
  • 10 pcs

    11.07150/pcs
  • 100 pcs

    9.45560/pcs
合計:11.55000/pcs Unit Price:
11.55000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 NTP8G202NG
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 8V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.6V @ 500µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 9.3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 760pF @ 400V
Vgs(最大) ±18V
FET機能 -
消費電力(最大) 65W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 8V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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