ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル NVMFS6B14NLWFT1G

ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

部品番号
NVMFS6B14NLWFT1G
メーカー
ON Semiconductor
説明
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.58261/pcs
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    0.42492/pcs
  • 3,000 pcs

    0.39562/pcs
  • 7,500 pcs

    0.38096/pcs
  • 10,500 pcs

    0.36631/pcs
合計:0.58261/pcs Unit Price:
0.58261/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 NVMFS6B14NLWFT1G
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 11A (Ta), 55A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1680pF @ 25V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 13 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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