部品番号 | NVTR0202PLT1G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.3V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 2.18nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 70pF @ 5V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 225mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 800 mOhm @ 200mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23 |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |