部品番号 | RQ1C075UNTR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7.5A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 18nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1400pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 700mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 16 mOhm @ 7.5A, 4.5V |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |