部品番号 | RZE002P02TL |
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部品ステータス | Not For New Designs |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 1.2V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 115pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 150mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | EMT3 |
パッケージ/ケース | SC-75, SOT-416 |