STMicroelectronics STB6N65M2

部品番号: STB6N65M2
メーカー: STMicroelectronics
説明: MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

STMicroelectronics

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製品パラメータ

部品番号	STB6N65M2
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	9.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	226pF @ 100V
Vgs（最大）	±25V
FET機能	-
消費電力（最大）	60W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.35 Ohm @ 2A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB