NSB8JT-E3/81 P1

Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8JT-E3/81

部品番号: NSB8JT-E3/81
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
説明: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: ダイオード - 整流器 - シングル

Vishay Corporation

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vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

在庫数量で数量個

参考価格
（米ドル）
1 pcs
0.30583/pcs
800 pcs
0.30583/pcs
1,600 pcs
0.24144/pcs
2,400 pcs
0.22535/pcs
5,600 pcs
0.21462/pcs

合計:0.30583/pcs

Unit Price:

0.30583/pcs

目標価格:

量:

製品パラメータ

部品番号	NSB8JT-E3/81
部品ステータス	Active
ダイオードタイプ	Standard
電圧 - DC逆（Vr）（最大）	600V
電流 - 平均整流（Io）	8A
電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If	1.1V @ 8A
速度	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr）	-
電流 - 逆リーク（Vr）	10µA @ 600V
容量Vr、F	55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263AB
動作温度 - ジャンクション	-55°C ~ 150°C

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