ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SIHF23N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHF23N60E-GE3

部品番号
SIHF23N60E-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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製品パラメータ
部品番号 SIHF23N60E-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 23A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 95nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2418pF @ 100V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 158 mOhm @ 12A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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