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| Número da peça | TP2635N3-G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 350V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 180mA (Tj) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 Ohm @ 300mA, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-92-3 |
| Pacote / Caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
Em estoque: 902
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
Em estoque: 0
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
Em estoque: 1129
