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| Número da peça | CXDM1002N TR |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | 20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-89 |
| Pacote / Caso | TO-243AA |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
Em estoque: 0
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
Em estoque: 37000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
Em estoque: 2000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
Em estoque: 3000
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
Em estoque: 13000
