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| Número da peça | CZDM1003N TR |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 975pF @ 25V |
| Vgs (Max) | 20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 2A, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SOT-223 |
| Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Descrição: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-223
Em estoque: 2000
