Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single GP1M003A080FH

Global Power Technologies Group GP1M003A080FH

Número da peça
GP1M003A080FH
Fabricante
Global Power Technologies Group
Descrição
MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça GP1M003A080FH
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-220F
Pacote / Caso TO-220-3 Full Pack
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