Número da peça | GSID150A120S3B1 |
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Status da Parte | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | 2 Independent |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 1200V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300A |
Power - Max | 940W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 150A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce | 14nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / Caso | D-3 Module |
Pacote de dispositivos de fornecedores | D3 |
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: IGBT MODULE 1200V 170A
Em estoque: 7
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: IGBT MODULE 1200V 285A
Em estoque: 6
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0
Fabricante: Global Power Technologies Group
Descrição: SILICON IGBT MODULES
Em estoque: 0