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| Número da peça | BSP125L6327HTSA1 |
|---|---|
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | PG-SOT223-4 |
| Pacote / Caso | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 1000
Fabricante: Infineon Technologies
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Em estoque: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Em estoque: 0
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Descrição: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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