Infineon Technologies IPG20N04S4L08ATMA1

Número da peça: IPG20N04S4L08ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descrição: MOSFET 2N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / status de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Família: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Infineon Technologies

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Parâmetro do produto

Número da peça	IPG20N04S4L08ATMA1
Status da Parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)	40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 22µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3050pF @ 25V
Power - Max	54W
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / Caso	8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos de fornecedores	PG-TDSON-8-4