Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - IGBTs - Módulos IXDN55N120D1

IXYS IXDN55N120D1

Número da peça
IXDN55N120D1
Fabricante
IXYS
Descrição
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - IGBTs - Módulos
IXYS

IXYS

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Em estoque $ Quantidade pcs
  • Preço de referência

    (Em dólares americanos)
  • 1 pcs

    16.12000/pcs
  • 10 pcs

    14.90850/pcs
  • 25 pcs

    13.69980/pcs
  • 100 pcs

    12.73285/pcs
  • 250 pcs

    11.68518/pcs
Total:16.12000/pcs Unit Price:
16.12000/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça IXDN55N120D1
Status da Parte Active
Tipo IGBT NPT
Configuração Single
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Power - Max 450W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 55A
Current - Collector Cutoff (Max) 3.8mA
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / Caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-227B
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