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| Número da peça | JAN1N5622 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 1000V |
| Corrente - Média Rectificada (Io) | 1A |
| Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.3V @ 3A |
| Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de recuperação inversa (TRR) | 2µs |
| Corrente - vazamento inverso @ Vr | 500nA @ 1000V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | A, Axial |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
| Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 200°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
