Número da peça | JAN1N5806 |
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Status da Parte | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Máx.) | 150V |
Corrente - Média Rectificada (Io) | 2.5A |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 975mV @ 2.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de recuperação inversa (TRR) | 25ns |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | A, Axial |
Pacote de dispositivos de fornecedores | - |
Temperatura de operação - junção | -65°C ~ 175°C |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0