Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro JAN2N3960UB

Microsemi Corporation JAN2N3960UB

Número da peça
JAN2N3960UB
Fabricante
Microsemi Corporation
Descrição
TRANS NPN 12V UB
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Parâmetro do produto
Número da peça JAN2N3960UB
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Current - Collector (Ic) (Max) -
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V
Power - Max 400mW
Frequência - Transição -
Temperatura de operação -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 3-SMD, No Lead
Pacote de dispositivos de fornecedores UB
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