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| Número da peça | JAN2N6059 |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo de transistor | NPN - Darlington |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
| Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
| Power - Max | 150W |
| Frequência - Transição | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / Caso | TO-204AA, TO-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-204AA (TO-3) |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 0
