Número da peça | JANTX1N5521B-1 |
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Status da Parte | Active |
Voltagem - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerância | ±5% |
Power - Max | 500mW |
Impedância (Máx.) (Zzt) | 18 Ohm |
Corrente - vazamento inverso @ Vr | 3µA @ 1.5V |
Voltagem - Encaminhar (Vf) (Máx.) @ Se | 1.1V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DO-35 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4