Número da peça | JANTX2N4857 |
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Status da Parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo FET | N-Channel |
Voltagem - Desagregação (V (BR) GSS) | 40V |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 40V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 100mA @ 15V |
Current Drain (Id) - Max | - |
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 500pA |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
Resistência - RDS (Ligado) | 40 Ohm |
Power - Max | 360mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / Caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-18 |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4