Número da peça | JANTXV2N2857UB |
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Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 15V |
Frequência - Transição | - |
Figura de ruído (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
Ganho | 21dB |
Power - Max | 200mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 3-SMD, No Lead |
Pacote de dispositivos de fornecedores | UB |
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 87
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Em estoque: 100
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 39
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Em estoque: 0
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 36
Fabricante: Microsemi Corporation
Descrição: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Em estoque: 4