Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso PDTC114EM,315

Nexperia USA Inc. PDTC114EM,315

Número da peça
PDTC114EM,315
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descrição
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Único, Pré-tendencioso
Nexperia

Nexperia

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Parâmetro do produto
Número da peça PDTC114EM,315
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Frequência - Transição -
Power - Max 250mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SC-101, SOT-883
Pacote de dispositivos de fornecedores DFN1006-3
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