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| Número da peça | 2SK3666-2-TB-E |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Voltagem - Desagregação (V (BR) GSS) | - |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 30V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 600µA @ 10V |
| Current Drain (Id) - Max | 10mA |
| Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id | 180mV @ 1µA |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistência - RDS (Ligado) | 200 Ohm |
| Power - Max | 200mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | 3-CP |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: JFET NCH 30V 200MW 3CP
Em estoque: 3000
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Em estoque: 12000
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: JFET N-CH 30V 0.2W CP
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH
Em estoque: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição: MOSFET N-CH
Em estoque: 0
