Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos DMG563H10R

Panasonic Electronic Components DMG563H10R

Número da peça
DMG563H10R
Fabricante
Panasonic Electronic Components
Descrição
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, pré-tendenciosos
Panasonic Corporation

Panasonic Corporation

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0.06393/pcs		 Preço alvo:
 Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça DMG563H10R
Status da Parte Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k, 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k, 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequência - Transição -
Power - Max 150mW
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso 5-SMD, Flat Leads
Pacote de dispositivos de fornecedores SMini5-F3-B
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