Número da peça | EMG11T2R |
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Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Frequência - Transição | 250MHz |
Power - Max | 150mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacote de dispositivos de fornecedores | EMT5 |
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Em estoque: 0
Fabricante: ON Semiconductor
Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
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Descrição: TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Em estoque: 24000