rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Número da peça | R8008ANX |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 800V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.03 Ohm @ 4A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220FM |
| Pacote / Caso | TO-220-2 Full Pack |
