rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Número da peça | RDN100N20FU6 |
|---|---|
| Status da Parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-220FN |
| Pacote / Caso | TO-220-3 Full Pack |
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN
Em estoque: 22
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
Em estoque: 0
Fabricante: Rohm Semiconductor
Descrição: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
Em estoque: 0
